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晶圓制造

2025-07-10

光刻工藝? ?

掩模版對準?:滑臺控制掩模版與晶圓的相對位置,精度最高可達±50nm,確保曝光圖案無偏移(如EUV光刻機) 。 ?

鏡頭定位?:壓電滑臺驅動物鏡進行納米級調焦(分辨率0.2nm),補償熱變形導致的焦距誤差 。 ?

案例?:直線電機滑臺配合激光干涉儀,實現光刻機工作臺的亞納米級運動控制,滿足7nm以下制程需求 。 

?刻蝕與薄膜沉積? 

?等離子體刻蝕?:滑臺精準移動晶圓至反應腔體指定區域,均勻性誤差≤0.1μm,避免刻蝕深度不均 。 

?CVD/PVD鍍膜?:多軸滑臺控制鍍膜噴嘴路徑,確保薄膜厚度一致性(波動<±3%) 。 

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